SK hynix的LPDDR5T,全球最快的行動DRAM,與Qualcomm完成相容驗證

• 9.6Gbps產品經過Qualcomm的新Snapdragon行動處理器驗證相容
• 與全球主要合作夥伴完成驗證後,SK hynix將向全球智慧型手機客戶提供LPDDR5T
• 「SK hynix與Qualcomm將進一步合作,加速智慧型手機在AI時代的成長」

首爾,韓國, 2023年10月25日 — SK hynix Inc.(以下簡稱「本公司」, www.skhynix.com)今天宣佈,其開發的LPDDR5T(低功耗雙數據速率5超級)*,即行動裝置最快的9.6Gbps速度DRAM,已開始商業化。

本公司表示,其已獲得Qualcomm Technologies的新Snapdragon® 8 Gen 3行動平台驗證,證明該產品與美國公司的產品相容,為行業首例。

*LPDDR:為行動裝置(包括智慧型手機和平板電腦)設計的低功耗DRAM,旨在最大限度地減少功耗,並具有低電壓操作的特點。最新規範為第7代,後繼1、2、3、4、4X、5和5X系列。LPDDR5T是SK hynix新開發的版本,是第7代(5X)之前開發第8代LPDDR6之前的升級產品。

SK hynix在1月完成開發後,在Qualcomm Technologies的支持下,已開始LPDDR5T的相容性驗證流程。該流程的完成意味著其與Snapdragon 8 Gen 3相容。

與無線電訊產品和服務領導者Qualcomm Technologies以及其他主要行動AP(應用處理器)供應商成功完成驗證後,SK hynix預計LPDDR5T的應用範圍將快速增長。

本公司計劃提供16GB容量的產品,由多個單獨的LPDDR5T芯片組成,其資料處理速度為每秒77GB,相當於1秒內處理15個全高清影片。

LPDDR5T產品在功耗方面也具有優勢,其工作電壓符合JEDEC規定的1.01~1.12V標準中的最低標準。

SK hynix應用了HKMG(高介電常數金屬閘極)**工藝,使速度和功率效率均取得顯著改進。通過採用此技術,本公司預計LPDDR5T在LPDDR6引入前將占據市場主導地位。

**HKMG:一種下一代工藝,它在DRAM晶體內的絕緣膜中使用高介電常數(K)材料,以防止泄漏電流並提高電容量。它可以降低功耗並提高速度。SK hynix於11月成為行業首家將該工藝集成到行動DRAM中的公司。

「我們新Snapdragon 8 Gen 3平台上的生成式AI應用,通過在設備上以極低延遲和最低功耗執行LLM和LVM,開啟了令人興奮的新使用案例,」Qualcomm Technologies Inc.產品管理高級副總裁Ziad Asghar表示。「我們與SK hynix的合作,將行動最快記憶體與我們最新的Snapdragon行動平台相匹配,為智慧型手機用戶提供了令人驚喜的在設備內部高度個性化的AI體驗,如AI虛擬助手。」

「我們很高興通過提供LPDDR5T,滿足客戶對超高性能行動DRAM的需求,」SK hynix DRAM產品規劃負責人Sungsoo Ryu表示。

Ryu表示,預計未來幾年,智慧型手機將成為AI技術全面應用的主要裝置。「我認為,在優秀的行動DRAM支持下,智慧型手機功能應繼續改進。我們將繼續與Qualcomm Technologies加強合作,推進該領域的技術。」

關於SK hynix Inc.

SK hynix Inc.總部位於韓國,是全球領先的半導體供應商,提供動態隨機存取記憶體芯片(「DRAM」)、快閃記憶體芯片(「NAND快閃記憶體」)和CMOS圖像傳感器(「CIS」),為全球各地知名客戶提供服務。該公司的股票在韓國證券交易所上市,全球預託證券在盧森堡證券交易所上市。欲了解更多SK hynix資訊,請訪問www.skhynix.com或news.skhynix.com。

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